汇报标题 (Title)：半导体/超导体量子资料原位分子束表延造备及输运钻研新进展
汇报人 (Speaker)：潘东 钻研员（中国科学院北京半导体钻研所）
汇报功夫 (Time)：2023年11月24日(周五) 10:00-11:30
汇报地址 (Place)：校本部 G313
约请人 (Inviter)：查访星 教授
主办部门：理学院物理系
提要 (Abstract)：
基于马约拉纳零能模的拓扑量子推算是研造量子推算机的沉要规划，获得不变靠得住的马约拉纳零能模是构建拓扑量子比特的前提。然而，受造于半导体/超导体量子资料的质量问题，国际上至今仍难以获得不变靠得住的马约拉纳零能模。若何造备出可能不变展示马约拉纳零能模的高质量量子资料，是半导体/超导体系统拓扑量子推算钻研必要解决的首要难题。针对这一难题，我们利用分子束表延技术，在Si衬底上造备出了纯相超细InAs纳米线、单晶InSb纳米线及立式二维单晶InSb和InAs纳米片等高品质半导体纳米结构。在此基础上，在这些高质量半导体纳米结构侧壁发展了超导Al的低温原位表延，获得了原子级平坦的半导体/超导体异质结界面。与合作者通过低温输运丈量，在InAs/Al纳米线中测得了硬超导能隙、双电子周期的库伦阻塞及库仑阻塞峰随磁场从双电子到单电子的演变等输运特点。最近，在大幅提高InAs/Al纳米线资料和器件质量后，观测到了量子化零偏压电导峰。该电导峰在量子化左近（5%精度领域内）形成一个电导平台。这是初次观测到随三个尝试参数变动（磁场和两个门电极）都可形成平台的“量子化岛”，尝试了局同马约拉纳或准马约拉纳的预言吻合。我们初次在国内发展出了高质量半导体/超导体异质纳米结构的低温原位分子束表延技术，样品质量及输运数据已优于国际同业水平。这些了局为下一步基于该资料系统的拓扑量子推算钻研奠定了基础。
