汇报标题 (Title)：单层FeSe/STO中可能存在的带间配对和超导二极管效应
汇报人 (Speaker)：秦盛山 副教授（北京理工大学）
汇报功夫 (Time)：2026年5月22日（周五）15:30-17:00
汇报地址 (Place)：宝山校区 G601
约请人(Inviter)：陈宇戈
主办部门：量子科技钻研院/理学院物理系
汇报提要：
在近年的STM尝试钻研中，人们在铁基超导体超导态中发现了一类别致的景象—其两套Fe子格中超导序参量存在差距。具体地，钻研人员发此刻FeTe0.55Se0.45中分歧的Fe子格中超导能隙大幼分歧；而在单层FeSe/STO中只管超导能隙大幼是均匀的，但其超导有关峰在分歧子格中存在差距，且两套Fe子格中超导有关峰关于零偏压对称。理论钻研发现前者可能与铁基超导体中的向列序有关，而后者可能与带间配对有关。本汇报中，我们将重要关注单层FeSe/STO，凭据以上尝试了局分析其超导配对对称性及可能产生的其它尝试景象。首先，我们基于系统的对称性分析发现，单层FeSe/STO中的尝试景象可能源于系统超导态中存在η配对分量或d波配对分量，该分量可由STO衬底对FeSe对称性的粉碎产生。进而，我们钻研了单层FeSe/STO在上述配对态下的超流二极管效应：通过机关基于单层FeSe的Josephson结，我们发现上述配对态能够极大的加强系统的Josephson二极管效应，该景象与上述配对态存在较强地带间配对分量缜密有关。以上了局批注，单层FeSe/STO可能是潜在的高温高效超流二极管平台，同时丈量单层FeSe/STO中的超流二极管效应也可以为钻研其超导配对态提供关键证据。
